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IRFB/IRFS/IRFSL23N15D
D 2 Pak Tape & Reel Information
TR R
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
F E E D D IR E C TIO N 1 .8 5 ( .0 7 3 )
4 .1 0 ( .1 6 1 )
3 .9 0 ( .1 5 3 )
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
1 1.6 0 (.4 57 )
0.3 6 8 (.01 4 5 )
0.3 4 2 (.01 3 5 )
1 .6 5 ( .0 6 5 )
1 1.4 0 (.4 49 )
1 5 .42 (.60 9 )
1 5 .22 (.60 1 )
2 4 .3 0 (.9 5 7 )
2 3 .9 0 (.9 4 1 )
TRL
1 .75 (.06 9 )
1 0.9 0 (.4 2 9)
1 0.7 0 (.4 2 1)
1 .25 (.04 9 )
16 .1 0 (.63 4 )
4 .7 2 (.1 3 6)
4 .5 2 (.1 7 8)
15 .9 0 (.62 6 )
F E E D D IR E C T IO N
N O TE S :
3 30 .00
( 14.1 73 )
MAX.
13.50 (.532 )
12.80 (.504 )
2 7.4 0 (1.079 )
2 3.9 0 (.9 41)
4
6 0.0 0 (2.36 2)
M IN .
30.4 0 (1.19 7)
M A X.
Notes:
1 . CO M F OR M S TO E IA -418 .
2 . CO N TR O L LIN G D IM E N SIO N : M IL LIM E T ER .
3 . DIM E NS IO N M EA S UR E D @ H U B.
4 . IN C LU D ES FL AN G E DIST O R T IO N @ O UT E R E D G E.
26 .40 (1 .03 9)
24 .40 (.9 61 )
3
4
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 2.7mH
R G = 25 ? , I AS = 14A.
? I SD ≤ 14A, di/dt ≤ 240A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? C oss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time
as C oss while V DS is rising from 0 to 80% V DSS
? This is only applied to TO-220AB package
? This is applied to D 2 Pak, when mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
IR EUROPEAN REGIONAL CENTER: 439/445 Godstone Rd, Whyteleafe, Surrey CR3 OBL, UK Tel: ++ 44 (0)20 8645 8000
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 (0) 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 011 451 0111
IR JAPAN: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo 171 Tel: 81 (0)3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 (0)838 4630
IR TAIWAN: 16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673 Tel: 886-(0)2 2377 9936
Data and specifications subject to change without notice. 6/00
www.irf.com
11
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IRFSL23N20D
功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件